إس كيه هاينكس (SK hynix) ترفع سقف ذاكرة النطاق الترددي العالي
أعلنت شركة إس كيه هاينكس (SK hynix) أنها بدأت تزويد عملائها بعينات من ذاكرة HBM4E الأحدث، في خطوة جديدة تعزز سباق ذاكرات النطاق الترددي العالي (High Bandwidth Memory) المخصصة لتسريع أحمال العمل المعتمدة على الذكاء الاصطناعي.
وتأتي أهمية هذا الإعلان من كون تطبيقات الذكاء الاصطناعي لا تعتمد على ذاكرة DDR التقليدية، لأنها لا توفر السرعة المطلوبة لتغذية المعالجات المسرّعة والدوائر المتخصصة. لذلك أصبحت HBM الخيار الأبرز في مراكز البيانات ومنصات الذكاء الاصطناعي الحديثة.
16Gbps لكل دبوس: قفزة واضحة عن HBM4
بحسب الشركة، تقدم HBM4E معدل نقل يصل إلى 16Gbps لكل دبوس، مقارنةً مع 10Gbps لكل دبوس في معيار HBM4 السابق. هذا الفارق يعكس زيادة كبيرة في عرض النطاق، وهو عامل أساسي في رفع أداء نماذج الذكاء الاصطناعي الكبيرة والتطبيقات كثيفة البيانات.
وللمقارنة، كانت سامسونج (Samsung) قد بدأت قبل شهر تقريبًا شحن عيناتها الخاصة من HBM4E، وذكرت حينها أنها توفر 14Gbps لكل دبوس. وبذلك تبدو إس كيه هاينكس (SK hynix) قد دفعت بالشريط أعلى قليلًا من حيث السرعة النظرية.
سعة 48GB عبر تصميم من 12 طبقة
العينات التي بدأت الشركة شحنها إلى شركائها تعتمد على تصميم مكوّن من 12 شريحة مكدسة فوق بعضها البعض. هذا الترتيب يمنح سعة إجمالية تصل إلى 48GB لكل حزمة، وهو مستوى مهم للغاية لتشغيل نماذج الذكاء الاصطناعي الكبيرة وتقليل الاعتماد على تبديل البيانات بين الذاكرة ووحدات المعالجة.
ويعكس هذا التوجه استمرار الصناعة في التركيز على زيادة الكثافة والسعة جنبًا إلى جنب مع رفع السرعة، بدل الاكتفاء بتحسين أحد الجانبين فقط.
سباق محتدم بين كبار صناع الذاكرة
تشير هذه الخطوة إلى أن المنافسة في سوق ذاكرات HBM دخلت مرحلة أكثر سخونة، مع سعي الشركات الكبرى إلى تقديم أجيال أسرع وأكثر كثافة لتلبية الطلب المتسارع من خوادم الذكاء الاصطناعي. وبينما تختلف الأرقام من شركة لأخرى، فإن الاتجاه العام واضح: المزيد من النطاق الترددي، وسعات أكبر، وكفاءة أعلى في الحزمة الواحدة.
| المعيار | إس كيه هاينكس (SK hynix) HBM4E | HBM4 | سامسونج (Samsung) HBM4E |
|---|---|---|---|
| معدل النقل لكل دبوس | 16Gbps | 10Gbps | 14Gbps |
| عدد الطبقات | 12 | غير مذكور هنا | غير مذكور هنا |
| السعة لكل حزمة | 48GB | غير مذكور هنا | غير مذكور هنا |
في المحصلة، تمثل HBM4E من إس كيه هاينكس (SK hynix) خطوة إضافية نحو الذاكرة فائقة الأداء التي ستشكل أحد أهم أعمدة البنية التحتية للذكاء الاصطناعي خلال المرحلة المقبلة.
